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    一種耦接模組可包括：上部部分，該上部部分界定孔隙；遮罩接觸元件；夾盤接觸元件；和中間元件，該中間元件連接於該遮罩接觸元件與該上部部分之間。孔隙的形狀和尺寸可對應於極紫外(EUVL)遮罩的圖案轉移區域的形狀和尺寸。耦接模組可經成形並經確定尺寸，使得一旦遮罩接觸元件接觸EUVL遮罩的上部部分，那麼夾盤接觸元件接觸支撐該遮罩的夾盤。當EUVL遮罩定位於夾盤上時，耦接模組可在EUVL遮罩的上部部分與夾盤之間進一步提供至少一個導電路徑。
    公开号:TW201317718A
    申请号:TW101135534
    申请日:2012-09-27
    公开日:2013-05-01
    发明作者:Krayvitz Igor Krivts；Israel Avneri；Yoram Uziel；Nir Ben-David；Ido Holcman；Itzak Yair；Yosi Basson
    申请人:Applied Materials Israel Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    用於將EUVL遮罩電耦接至支撐夾盤的導電元件相關申請案
    本申請案為在2011年9月27日提交的美國臨時申請案第61/539,971號的非臨時案，並且本申請案主張該美國臨時申請案的優先權，該美國臨時申請案以引用方式併入本文。
    本發明係關於經由電子束或離子束成像設備的極紫外光微影術(extreme ultra violet lithography；EUVL)遮罩檢查。
    EUVL遮罩將在用於製造奈米級別的半導體器件的下一代光微影製程中使用。較短EUV波長13.5 nm實現產生比當今用513 nm光微影術產生的可能元件更小的元件。
    光微影術製程可包括將被光致抗蝕劑塗覆的矽晶片曝光於13.5 nm波長輻射，該13.5 nm波長輻射自EUVL遮罩的圖案轉移區域反射。將位於遮罩的圖案形成區域的頂表面上的圖案去放大並轉移至矽晶片上方的光致抗蝕劑層上。在該曝光之後，光微影術製程繼續進行。移除顯影的光致抗蝕劑，並且藉由蝕刻或沉積在矽上形成圖案。EUVL遮罩還包括可圍繞圖案轉移區域的週邊區域。
    圖1圖示EUVL遮罩，該EUVL遮罩由非導電層12(諸如，玻璃層)和上部部分構建，該上部部分可包括以下的組合：(a)將EUV光向基板反射的反射層14和(b)吸收層16。該上部部分為導電的並在整個遮罩上延伸，且尤其在遮罩的整個圖案轉移區域上延伸。
    圖1還包括表示EUVL輻射的箭頭8，該EUVL輻射被引導至遮罩上並自遮罩反射。
    EUVL遮罩定位於夾盤50上。夾盤50可電耦接(經由電纜59)至已知電勢(諸如，接地)的預定位置。
    必須在EUVL遮罩的製造製程和使用製程期間檢查EUVL遮罩。遮罩頂部上的缺陷或掩埋於多層堆疊中(在未被吸收層覆蓋的區域上)的缺陷將在曝光的矽晶片上造成重複的缺陷。
    可提供一種用於將極紫外(EUVL)遮罩耦接至夾盤的耦接模組，該耦接模組可包含：上部部分，該上部部分界定孔隙；至少一個遮罩接觸元件；夾盤接觸元件；和中間元件，該中間元件可連接於該遮罩接觸元件與該上部部分之間。孔隙的形狀和尺寸可對應於EUVL遮罩的圖案轉移區域的形狀和尺寸。耦接模組可經成形並經確定尺寸，使得一旦至少一個遮罩接觸元件接觸EUVL遮罩的上部部分，那麼夾盤接觸元件接觸支撐EUVL遮罩的夾盤。當EUVL遮罩可與耦接模組對準而定位於夾盤上時，耦接模組在EUVL遮罩的上部部分與夾盤之間提供至少一個導電路徑。
    當EUVL遮罩可定位於夾盤上時，耦接模組可遮擋EUVL遮罩的邊緣。
    至少一個遮罩接觸元件可包含彈簧。
    上部部分與中間元件的底部末端之間的高度差可小於EUVL遮罩的高度。
    遮罩接觸元件定位成在圖案轉移區域外部的位置處接觸EUVL遮罩。
    一旦耦接模組可放置於EUVL遮罩上，那麼孔隙曝露出圖案轉移區域。
    中間元件可經成形以圍繞EUVL遮罩。
    中間元件可經成形以在耦接模組放置於EUVL遮罩上時接觸EUVL遮罩的至少一個側壁。
    耦接模組可圍繞EUVL遮罩的中心對稱。
    耦接模組可由不銹鋼製成。或者，耦接模組的導電元件可由不銹鋼製成。
    至少一個導電路徑可經由非導電耦接模組的導電塗層形成。
    至少一個導電路徑可包含多個導電路徑。
    至少一個遮罩接觸元件可經佈置以在耦接模組放置於EUVL遮罩上時鬆散地接觸夾盤。
    耦接模組包含彼此隔離的多個耦接模組導電部分，其中不同耦接模組導電部分耦接至不同遮罩接觸元件，其中每一遮罩接觸元件將耦接模組導電部分電耦接至EUVL遮罩。
    可提供一種用於檢查極紫外(EUVL)遮罩的方法。該方法可包括：將EUVL遮罩和耦接模組放置於夾盤上，其中該耦接模組電耦接EUVL遮罩的上部部分和夾盤；和經由帶電粒子束掃描EUVL遮罩的圖案轉移區域的至少一部分，該帶電粒子束通過由耦接模組的上部部分界定的孔隙，同時夾盤、耦接模組和帶電粒子束位於真空腔室中。
    在本說明書的結論部分中特定指出並清楚地主張被視為本發明的標的。然而，在結合附圖閱讀時，參考以下詳細描述可更好地理解關於操作的組織和方法兩者的發明，以及本發明的目標、特徵和優點。
    在以下詳細描述中，闡述眾多特定細節以提供對本發明的透徹理解。然而，本領域的技術人員將理解，可在不具有該等特定細節的情況下實踐本發明。在其它情況下，並未詳細描述熟知的方法、程式和元件，以免混淆了本發明。
    各圖圖示耦接模組的上部部分為平坦表面。應注意，上部部分可為上表面或上部部分可具有任何其它形狀。
    當EUVL遮罩定位於夾盤上並與耦接模組對準時，耦接模組為具有導電部分的模組，該等導電部分預期為EUVL遮罩與夾盤之間導電路徑的一部分。導電模組可為導電框架但導電模組可具有其它形式或形狀。
    可用不同成像技術檢查EUVL遮罩10的上部部分(頂層，包括層16和層14)，該成像技術可包括經由電子束(e-beam)或離子束成像技術進行的EUVL遮罩檢查。在真空腔室內部執行經由電子束或離子束進行的檢查。
    EUVL遮罩10插入至真空腔室(未圖示)中，並且EUVL遮罩10定位於夾盤50上，夾盤50可位於平臺的頂部上，該平臺諸如(但不限於)XY平臺。在檢查期間，在電子束或離子束下方平移EUVL遮罩10(沿X方向和/或Y方向移動)。
    如上文所提及，EUVL遮罩10的上部部分由導電層(14和16)製成，該導電層位於非導電層12的頂部上。後者可相對較厚(約6 mm)並且後者可由石英板製成。
    用帶電粒子束掃描EUVL遮罩10可能造成電荷聚集。為了消除EUVL遮罩檢查期間的電荷聚集(電荷聚集可能造成損傷)，EUVL遮罩的上部部分應電耦接至夾盤50，因為夾盤50導電。夾盤50(尤其是夾盤底座)可連接至所需要的電勢。例如，夾盤50可接地。
    可提供耦接模組，該耦接模組使在如下檢查期間EUVL遮罩的上部部分能夠電連接至夾盤。
    耦接模組可在EUVL遮罩搬運製程期間放置於EUVL遮罩上方。耦接模組可自上方打開(該耦接模組可界定孔隙，該孔隙曝露EUVL遮罩10的圖案轉移區域11)，但耦接模組在可位於圖案轉移區域外部(諸如，在EUVL遮罩的週邊區域中)的多個(例如，2、3、4或更多個)點處接觸EUVL遮罩10。
    耦接模組可作為EUVL遮罩總成的一部分平移至檢查工具上。機器人(或其它轉移單元)可載送EUVL遮罩和耦接模組(一起載送或者分開載送)、可將EUVL遮罩定位於真空腔室內、可將EUVL放置於夾盤上，並可將耦接模組放置於EUVL遮罩和夾盤上。
    耦接模組可由導電材料製成、可包括導電材料和絕緣材料或耦接模組可由導電塗層塗覆。 EUVL遮罩和框架的搬運
    機械手臂可在機械手臂至檢查工具的路線上載送EUVL遮罩。
    應注意，已知裝載或卸載EUVL遮罩中的各個步驟並且不需要任何進一步解釋。該等步驟可包括：經由機械手臂打開EUVL遮罩盒(其中，於檢查製程和/或光微影術製程之間EUVL遮罩定位在EUVL遮罩盒中)、抽取EUVL遮罩並且甚至(在需要時)將該EUVL遮罩反向使得該EUVL遮罩的面倒置等。
    機械手臂可借助於垂直移動，即，將EUVL遮罩向上移動至耦接模組中，來執行耦接模組的自對準定位。
    耦接模組可最初位於底座的頂部上(真空腔室的外部)。
    機械手臂隨後可經由臂和EUVL遮罩的垂直移動來升起耦接模組。
    耦接模組可自對準至EUVL遮罩(例如，經由與EUVL遮罩的側壁的輕微接觸)。
    可緩慢地執行垂直移動，以減少摩擦和摩擦產生的分子污染。
    在垂直移動結束時，耦接模組定位於EUVL遮罩表面的頂部上，從而接觸各個點。
    機械手臂可最終將具有附接的耦接模組的EUVL遮罩放置於EUVL遮罩檢查工具夾盤上。
    夾盤可定位於真空腔室中，該真空腔室可具有開口(該開口未圖示)。此種狀況可使機械手臂能夠在開口內移動，直至EUVL遮罩接觸夾盤為止。隨後，EUVL遮罩向下移動更遠(經由機械手臂)並被抽取出來。
    裝載製程圖示於圖8和圖9中。
    當檢查工作完成時，機械手臂返回並升起EUVL遮罩和耦接模組。
    可在反向步驟序列中自EUVL遮罩卸載耦接模組。可將耦接模組留在夾盤的底座上，並且機械手臂繼續將EUVL遮罩返回至該EUVL遮罩的盒中。
    耦接模組可為可擕式並且耦接模組可經由標準EUVL遮罩搬運機械手臂裝載於EUVL遮罩上。 耦接模組和EUVL遮罩
    根據本發明的實施例，耦接模組以鬆散的方式接觸夾盤-該耦接模組可經由附接至該耦接模組的彈簧(或其它彈性元件)連接。彈簧略微地收縮，此舉使電接觸能夠發生，但防止耦接模組經由彈簧力升起且因此失去該耦接模組與EUVL遮罩表面的接觸。
    彈簧可位於接近EUVL遮罩處(並且甚至接觸該EUVL遮罩)或彈簧可與EUVL遮罩略微地間隔開(並且甚至遠離EUVL遮罩放置)。如果是後者情況(遠距離位置)，那麼彈簧可使電勢電弧(如果有)遠離EUVL遮罩本身形成，從而減少污染。
    耦接模組可由具有導電塗層或導線的非導電材料製成，以實現接觸僅在耦接模組上的特定點之間產生。此種特徵實現監控耦接模組支腳與EUVL遮罩的頂表面之間接觸的品質。
    根據本發明的實施例，可提供耦接模組，且耦接模組可包括界定孔隙的上部部分、遮罩接觸元件、夾盤接觸元件和中間元件，該中間元件可連接於該遮罩接觸元件與該上部部分之間。孔隙的形狀和尺寸對應於極紫外(EUVL)遮罩的圖案轉移區域的形狀和尺寸。耦接模組可經成形並經確定尺寸，使得一旦遮罩接觸元件接觸EUVL遮罩的上部部分，那麼遮罩夾盤接觸元件接觸支撐該遮罩的夾盤。當EUVL遮罩可定位於夾盤上時，耦接模組可在EUVL遮罩的上部部分與夾盤之間提供至少一個導電路徑。
    圖2至圖6圖示EUVL遮罩10、夾盤50和耦接模組20的各個元件(12、14和16)。耦接模組20將上部部分(尤其層14和另外或替代的層16)電耦接至夾盤50。
    圖2至圖6圖示形成於耦接模組20的上部部分21處的孔隙22。孔隙22的邊緣經由兩個間隔開的虛線25圖示於該橫截面視圖中。
    圖2、圖5和圖6圖示遮罩接觸元件，該遮罩接觸元件包括彈簧24。彈簧24可包括在外殼29中或彈簧24可以各種其它方式連接至中間元件23。
    圖2和圖5將彈簧24圖示為位於中間元件23下方並十分接近於EUVL遮罩10的外部側壁17，而圖6將彈簧24圖示為比中間元件23更遠離EUVL遮罩10。圖5圖示EUVL遮罩10的外部側壁17與中間元件23的壁之間的間隔物27。
    圖6圖示外殼29的組合，外殼29部分地圍繞彈簧24，彈簧24鬆散地接觸夾盤50。
    圖3將彈簧24圖示為連接於中間元件23的兩個部分23(1)和23(2)之間，使得中間元件23的下部部分23(1)(而並非彈簧24)接觸夾盤50。
    圖2至圖4和圖6圖示兩個尖峰形遮罩接觸元件26，而圖5圖示多於兩個尖峰形遮罩接觸元件26。圖13至圖15圖示三個遮罩接觸元件26(1)、26(2)和26(3)。
    圖4圖示本發明的實施例，其中上部部分21與中間元件23的底部末端23(4)之間的高度差可小於EUVL遮罩10的高度。
    圖7為耦接模組20的俯視圖，圖示孔隙22比EUVL遮罩的圖案轉移區域11略微更大。
    遮罩接觸元件26(1)至26(3)定位成在未包括在圖案轉移區域中的位置處接觸EUVL遮罩。
    圖10至圖12圖示根據本發明的實施例的夾盤50、EUVL遮罩10和耦接模組20。
    參照圖10，夾盤50具有圓形形狀，並且夾盤50的尺寸應適應夾盤50預期支撐的晶片的尺寸。例如，300 mm晶片(即，直徑為300毫米的圓形晶片)可經由圓形夾盤支撐，該圓形夾盤的直徑可為至少300 mm。
    EUVL遮罩10遠小於夾盤50，並且EUVL遮罩10可具有矩形形狀(但可使用其它形狀的夾盤和遮罩)。EUVL遮罩10可包括被週邊區域12圍繞的圖案轉移區域11，週邊區域12不用於將圖案轉移至晶片上。
    圖10圖示耦接模組20的孔隙22的(內部)邊緣25、EUVL遮罩10的外部邊緣15和耦接模組20的外部邊緣28。
    夾盤50通常不是完全平坦的。夾盤50通常包括各種夾盤元件(例如，真空孔隙、管、固持元件或其它間隔或突起)，該各種夾盤元件可位於夾盤的各個位置處。該等各種夾盤元件在圖10中表示為58並且該等各種夾盤元件圖示(僅為了解釋方便起見)為位於夾盤50的右上部分處。
    當夾盤50充電至高電壓(例如，數千伏特)時，該等夾盤元件58(以及EUVL遮罩10的邊緣)可有助於電弧、火花等的形成。根據本發明的各種實施例，耦接模組20可覆蓋該等元件(或該等元件中的至少一些元件)並減少不當的電氣或靜電現象發生的機會。
    圖11至圖15圖示耦接模組20，耦接模組20遮擋整個夾盤50或者夾盤50的大部分。此種遮擋減少不規則性或其它夾盤元件58，該等其它夾盤元件58可輔助形成不必要的電氣或靜電現象。
    在圖11中，耦接模組20幾乎與夾盤50一樣大，並且耦接模組20具有圓形形狀。
    在圖12中，耦接模組20具有與夾盤50的尺寸相同的尺寸。
    圖13圖示根據本發明的實施例的EUVL遮罩10和耦接模組20。
    圖13圖示耦接模組20，耦接模組20可與整個夾盤50一樣大並且耦接模組20具有三個遮罩接觸元件26(1)、26(2)和26(3)。
    第一遮罩接觸元件26(1)接觸EUVL遮罩10的週邊區域12的右上邊緣。第二遮罩接觸元件26(2)接觸EUVL遮罩10的週邊區域12的右下邊緣。第三遮罩接觸元件26(3)接觸EUVL遮罩10的週邊區域12的左下邊緣。遮罩接觸元件26(1)-26(3)中的每一者在耦接模組20與遮罩10之間提供導電路徑。 電氣測試和擊穿氧化層
    圖14包括：(a)根據本發明的實施例的EUVL遮罩10和耦接模組20的俯視圖；和(b)根據本發明的實施例的耦接模組20的橫截面視圖(沿著虛線70截取)。
    圖14將耦接模組20圖示為包括彼此隔離的兩個耦接模組導電部分20(1)和20(2)。
    圖17將耦接模組20圖示為包括彼此隔離的三個耦接模組導電部分20(1)、20(2)和20(3)。該三個耦接模組導電部分中的每一者電耦接至遮罩接觸元件26(1)-26(3)中的不同遮罩接觸元件。
    可藉由在該等耦接模組導電部分之間放置絕緣材料或藉由在耦接模組導電部分之間形成縫隙(諸如，縫隙20(0))，來達成不同耦接模組導電部分之間的隔離。圖14的橫截面視圖將耦接模組20的上部部分22圖示為包括下層22(1)，下層22(1)由絕緣材料製成。下層22(1)支撐耦接模組導電部分20(1)和耦接模組導電部分20(2)，同時維持耦接模組導電部分20(1)與耦接模組導電部分20(2)之間的縫隙20(0)。
    第一耦接模組導電部分20(1)接觸第一遮罩接觸元件26(1)，而第二耦接模組導電部分20(2)接觸第二遮罩接觸元件26(2)和第三遮罩接觸元件26(3)。
    第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)可經由EUVL遮罩10-經由第一遮罩接觸元件26(1)、第二遮罩接觸元件26(2)和第三遮罩接觸元件26(3)彼此短路。
    換言之，如果第一遮罩接觸元件至第三遮罩接觸元件26(1)-26(3)電耦接至EUVL遮罩10，那麼第一遮罩接觸元件至第三遮罩接觸元件26(1)-26(3)可形成第一耦接模組導電部分20(1)與第二耦接模組導電部分20(2)之間導電路徑的一部分。
    例如，如果第一遮罩接觸元件26(1)不接觸EUVL遮罩10或出於任何其它原因第一遮罩接觸元件26(1)未電耦接至EUVL遮罩10，那麼第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)可保持彼此隔離。
    因此，對第一耦接模組導電部分20(1)與第二耦接模組導電部分20(2)之間耦接的評估可指示第一遮罩接觸元件至第三遮罩接觸元件26(1)-26(3)是否適當地接觸EUVL遮罩10。因此，第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)可電耦接至量測裝置(諸如，圖15的量測裝置71)的不同端子，該量測裝置諸如，歐姆計、伏特計、安培計等。
    應注意，該等量測可基於以下假定：第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)未經由夾盤50短路-並且此種狀況可藉由將第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)耦接至夾盤50的電氣隔離元件來達成。圖16圖示夾盤50的兩個相互隔離元件51和52，兩個相互隔離元件51和52電耦接(分別經由導體81和導體82)至第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)。
    EUVL遮罩10的導電部分可被氧化，使得不當的氧化層可形成於EUVL遮罩10的上部部分處。該氧化層為不導電的，並且該氧化層可防止當遮罩接觸元件26(1)-26(3)接觸EUVL遮罩10時，在遮罩接觸元件26(1)-26(3)之間形成導電路徑。
    此種狀況防止第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)經由EUVL遮罩10電耦接至彼此。
    當量測裝置71可檢測到該等問題時，電壓供應器10可藉由產生電壓脈衝(或其它電信號)來幫助解決該等問題，該電壓脈衝可足夠高以移除氧化層或至少移除被遮罩接觸元件26(1)-26(3)接觸的位置處的氧化層。
    量測裝置70和電壓供應器80可參與包括以下一或更多個重複的製程：(a)評估第一耦接模組導電部分20(1)和第二耦接模組導電部分20(2)是否電耦接至彼此(可等效於確定是否存在氧化層)；和(b)經由電壓供應器80施加電壓信號以擊穿氧化層-如果確定存在該氧化層。
    如果一個重複失敗，那麼可在下一個重複之前改變將要在下一個重複期間供應的信號(例如，增加電壓)。非限制性值的範圍可在數伏特至數百伏特之間，例如，介於3 V與400 V之間。
    圖18圖示根據本發明的實施例的方法100。
    方法100可用於檢查極紫外(EUVL)遮罩。
    方法100可以階段110開始，階段110為將EUVL遮罩和耦接模組放置於夾盤上。耦接模組可為上文所提及的耦接模組中的任何耦接模組。耦接模組電耦接EUVL遮罩的上部部分和夾盤。
    階段110後面可接著階段120，階段120為經由帶電粒子束掃描EUVL遮罩的圖案轉移區域的至少一部分，該帶電粒子束通過由耦接模組的上部部分界定的孔隙，同時夾盤、耦接模組和帶電粒子束位於真空腔室中。
    耦接模組可為上文所提及的耦接模組中的任何耦接模組。方法可包括裝載耦接模組和EUVL遮罩和此外自真空腔室卸載耦接模組和EUVL遮罩的任何階段。
    為解釋簡單起見，圖18未圖示將EUVL遮罩和耦接模組放置於真空腔室中和自真空腔室移除耦接模組和遮罩的階段。
    圖19圖示根據本發明的實施例，用於改良形成於遮罩接觸元件與EUVL遮罩之間的電氣路徑的電導率的方法200。
    方法200可以階段210開始，階段210為將EUVL遮罩放置於夾盤上和以一方式定位耦接模組，該方式允許耦接模組的多個遮罩接觸元件在多個位置處接觸EUVL遮罩。耦接模組包括多個耦接模組導電部分，該多個耦接模組導電部分相互隔離並電耦接至多個遮罩接觸元件。多個耦接模組導電部分電耦接至夾盤的相互隔離的不同元件。
    階段210後面可接著階段220，階段220為評估應經由EUVL遮罩彼此短路的一對耦接模組導電部分(屬於上述多個耦接模組導電部分)是否未彼此短路。當氧化層隔離該對耦接模組導電部分時，發生不短路的狀況。或者，耦接模組導電部分可經由高電阻路徑耦接至彼此，該高電阻路徑可經由部分形成氧化層而形成。
    如果確定應彼此短路的所有耦接模組導電部分彼此短路，那麼方法200可結束(經由結束階段260來圖示)。
    如果確定應經由EUVL遮罩彼此短路的一對耦接模組導電部分未彼此短路，那麼階段220後面應接著階段230，階段230為經由電壓供應器將電壓信號施加於該對耦接模組導電部分之間。
    階段230後面可接著階段240，階段240為評估應經由EUVL遮罩彼此短路的該對耦接模組導電部分是否未彼此短路。
    如果確定應彼此短路的該對耦接模組導電部分彼此短路，那麼方法200可結束(經由結束階段260來圖示)。
    圖20至圖25圖示根據本發明的各種實施例的EUVL遮罩和耦接模組。
    根據本發明的實施例，EUVL遮罩可經由遮罩固持器支撐，該遮罩固持器具有遮罩蓋103和遮罩支撐元件101。遮罩支撐模組101可被視為夾盤的一部分或視為耦接模組20的一部分。
    圖20提供根據本發明的實施例的EUVL遮罩102和耦接模組的等角視圖，該耦接模組包括遮罩蓋103和遮罩支撐模組101。圖21圖示根據本發明的實施例的遮罩支撐模組101和EUVL遮罩102。圖22和圖23圖示根據本發明的各種實施例的遮罩支撐模組101。圖24和圖25圖示根據本發明的各種實施例的遮罩蓋103的俯視圖和仰視圖。
    參照圖21，遮罩支撐模組101包括具有彈簧固持器105的遮罩對準彈簧104、三個遮罩邊界106、對準彈簧手柄凸輪107、兩個電氣接觸彈簧108和109和四個遮罩蓋支撐件112。
    遮罩支撐模組101可由絕緣陶瓷製成，該絕緣陶瓷例如，具有導電塗層(例如，硬鉻)的氧化鋁。前遮罩表面具有經由電介質間隔分隔的兩個塗層區域110和111。此種狀況允許將接觸彈簧108和接觸彈簧109連接至不同電勢用於電導率測試和電氣切換程式(Electrical Zapping Procedure)。對準彈簧104可對EUVL遮罩的角楔作用，從而推動遮罩與三個遮罩邊界106接合，因此執行遮罩對準。
    手柄凸輪107經設計用於自對準彈簧104手動釋放EUVL遮罩102。自動釋放經由特殊裝置(未圖示)來執行。為遮罩蓋103提供額外支撐件需要四個遮罩蓋支撐件112，該額外支撐件增加遮罩蓋固有頻率。
    圖22為遮罩支撐模組101的等角視圖。EUVL遮罩102可位於底座固持器101的三個凸出部分113、114和115上。三個凸出部分113、114和115被導電塗層(例如，硬鉻)塗覆並經由允許遮罩接觸的遮罩區域與EUVL遮罩102接觸。
    固持器底座101的背側圖示於圖23中，其中整個表面劃分成三個區域。第一區域為大的導電塗層區域117；第二區域為小的導電塗層區域116，並且第三區域為絕緣體區域，該絕緣體區域分隔兩個導電區域116和117。導電區域116連接至接觸彈簧108，並且導電彈簧109連接至導電區域117。此種狀況允許執行電導率測試和切換(zapping)程式。
    圖24為根據本發明的各種實施例的遮罩蓋103的前側的等角視圖，並且圖25提供根據本發明的各種實施例的遮罩蓋103的背側的等角視圖。
    四個孔118、119、120和121旨在用於在EUVL遮罩102的前側上安裝和拆卸遮罩蓋103。該步驟經由特殊機構(未圖示)來執行。蓋103由絕緣材料(例如，氧化鋁陶瓷)製成並且蓋103在除前側上的表面122和背側上的表面131外的整個表面上具有導電塗層(例如，硬鉻)。
    參照圖25，導電表面和隔離表面的該配置允許執行電導率測試和遮罩切換程式。在遮罩蓋103的背側表面上，存在四個狹槽凹處127、128、129和130，該四個狹槽凹處旨在用於與四個遮罩蓋支撐件112互動，遮罩蓋支撐件112增加當遮罩蓋103安裝於EUVL遮罩102上時的遮罩蓋103固有頻率。遮罩蓋103的中心部分上的方形凹處126旨在用於在EUVL遮罩102上安裝蓋。遮罩蓋103經由三個突出的小表面123、124和125與EUVL遮罩102接觸。從電氣接觸的角度，突出表面125為表面132的組成部分，並且兩個突出表面123和124為遮罩蓋103的背側的剩餘塗層部分133的組成部分。當遮罩蓋103安裝於EUVL遮罩102上並且EUVL遮罩102安裝於遮罩底座111(參見圖20)上時，接觸彈簧108具有與表面132的電氣接觸，並且接觸彈簧109具有與表面133的電氣接觸。該配置允許執行電導率測試和遮罩切換程式。三個突出表面123、124和125的定向取決於EUVL遮罩102的前表面上容許機械接觸的區域的定向。
    如果確定應經由EUVL遮罩彼此短路的該對耦接模組導電部分未彼此短路(儘管執行了階段230)，那麼階段240後面可接著階段230或階段240後面可接著階段250，階段250為改變將要在階段230期間施加的信號。階段250後面可接著階段230。階段250可包括改變將要在下一個重複期間供應的信號(例如，增加電壓)。非限制性值的範圍可在數伏特至數百伏特之間，例如，介於3 V與400 V之間。
    儘管本文已圖示並描述本發明的某些特徵，但本領域的一般技術人員現在應想出許多修改、替代、變化和等效物。因此，應理解，所附的申請專利範圍旨在涵蓋屬於本發明的真實精神內的所有該等修改和變化。
    8‧‧‧EUVL輻射
    10‧‧‧EUVL遮罩
    11‧‧‧圖案轉移區域
    12‧‧‧週邊區域
    14‧‧‧反射層
    15‧‧‧外部邊緣
    16‧‧‧吸收層
    17‧‧‧外部側壁
    20‧‧‧耦接模組
    20(0)‧‧‧縫隙
    20(1)‧‧‧耦接模組導電部分
    20(2)‧‧‧耦接模組導電部分
    20(3)‧‧‧耦接模組導電部分
    21‧‧‧上部部分
    22‧‧‧孔隙
    22(1)‧‧‧下層
    23‧‧‧中間元件
    23(1)‧‧‧部分
    23(2)‧‧‧部分
    23(4)‧‧‧底部末端
    24‧‧‧彈簧
    25‧‧‧邊緣
    26‧‧‧遮罩接觸元件
    26(1)‧‧‧遮罩接觸元件
    26(2)‧‧‧遮罩接觸元件
    26(3)‧‧‧遮罩接觸元件
    27‧‧‧間隔物
    28‧‧‧外部邊緣
    29‧‧‧外殼
    50‧‧‧夾盤
    51‧‧‧相互隔離元件
    52‧‧‧相互隔離元件
    58‧‧‧夾盤元件
    59‧‧‧電纜
    70‧‧‧量測裝置
    80‧‧‧電壓供應器
    81‧‧‧導體
    82‧‧‧導體
    100‧‧‧方法
    101‧‧‧遮罩支撐模組
    102‧‧‧EUVL遮罩
    103‧‧‧遮罩蓋
    104‧‧‧對準彈簧
    105‧‧‧彈簧固持器
    106‧‧‧遮罩邊界
    107‧‧‧對準彈簧手柄凸輪
    108‧‧‧電氣接觸彈簧
    109‧‧‧電氣接觸彈簧
    110‧‧‧塗層區域
    111‧‧‧塗層區域
    112‧‧‧遮罩蓋支撐件
    113‧‧‧凸出部分
    114‧‧‧凸出部分
    115‧‧‧凸出部分
    116‧‧‧導電塗層區域
    117‧‧‧導電塗層區域
    118‧‧‧孔
    119‧‧‧孔
    120‧‧‧孔
    121‧‧‧孔
    122‧‧‧表面
    123‧‧‧表面
    124‧‧‧表面
    125‧‧‧表面
    126‧‧‧方形凹處
    127‧‧‧狹槽凹處
    128‧‧‧狹槽凹處
    129‧‧‧狹槽凹處
    130‧‧‧狹槽凹處
    131‧‧‧表面
    132‧‧‧表面
    133‧‧‧表面
    200‧‧‧方法
    210‧‧‧階段
    220‧‧‧階段
    230‧‧‧階段
    240‧‧‧階段
    250‧‧‧階段
    260‧‧‧階段
    將參照附圖僅以舉例的方式描述本發明的進一步細節、態樣和實施例。在附圖中，相同的元件符號用以標識相同的或功能上類似的元件。為簡單且清晰之目的而圖示圖中元件，並且圖中元件未必按比例繪製。
    圖1為現有技術EUVL遮罩和夾盤的側視圖。
    圖2圖示根據本發明的實施例的夾盤、EUVL遮罩和耦接模組；圖3圖示根據本發明的另一實施例的夾盤、EUVL遮罩和耦接模組；圖4圖示根據本發明的又一實施例的夾盤、EUVL遮罩和耦接模組；圖5圖示根據本發明的另一實施例的夾盤、EUVL遮罩和耦接模組；圖6圖示根據本發明的又一實施例的夾盤、EUVL遮罩和耦接模組；圖7為根據本發明的另一實施例的耦接模組的俯視圖；圖8和圖9圖示根據本發明的實施例，將耦接模組放置於EUVL遮罩上和將EUVL遮罩和耦接模組放置於夾盤上的製程中的兩個階段；圖10至圖12圖示根據本發明的實施例的夾盤、EUVL遮罩和耦接模組；圖13圖示根據本發明的實施例的EUVL遮罩和耦接模組；圖14包括根據本發明的實施例的EUVL遮罩和耦接模組的俯視圖，並且圖14還包括根據本發明的實施例的耦接模組的橫截面視圖；圖15為根據本發明的實施例的EUVL遮罩、量測裝置、電壓供應器和耦接模組的俯視圖；圖16為根據本發明的實施例的EUVL遮罩、夾盤和耦接模組的俯視圖；圖17為根據本發明的實施例的EUVL遮罩和耦接模組的俯視圖；圖18為根據本發明的實施例的方法的流程圖；圖19為根據本發明的實施例的方法的流程圖；和圖20至圖25圖示根據本發明的各種實施例的EUVL遮罩和耦接模組。
    10‧‧‧EUVL遮罩
    11‧‧‧圖案轉移區域
    12‧‧‧週邊區域
    14‧‧‧反射層
    15‧‧‧外部邊緣
    16‧‧‧吸收層
    20‧‧‧耦接模組
    21‧‧‧上部部分
    22‧‧‧孔隙
    22‧‧‧下層
    23‧‧‧中間元件
    24‧‧‧彈簧
    25‧‧‧邊緣
    26‧‧‧遮罩接觸元件
    28‧‧‧外部邊緣
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] 一種用於將一極紫外(EUVL)遮罩耦接至一夾盤的耦接模組，該耦接模組包含：一上部部分，該上部部分界定一孔隙；至少一個遮罩接觸元件；夾盤接觸元件；及一中間元件，該中間元件連接於該遮罩接觸元件與該上部部分之間；其中該孔隙的一形狀和一尺寸對應於該EUVL遮罩的一圖案轉移區域的一形狀和一尺寸；其中該耦接模組經成形並經確定尺寸，使得一旦該至少一個遮罩接觸元件接觸該EUVL遮罩的一上部部分，那麼該夾盤接觸元件接觸支撐該EUVL遮罩的一夾盤；及其中當該EUVL遮罩與該耦接模組對準而定位於該夾盤上時，該耦接模組在該EUVL遮罩的該上部部分與該夾盤之間提供至少一個導電路徑。
    [2] 如請求項1所述之耦接模組，其中當該EUVL遮罩定位於該夾盤上時，該耦接模組遮擋該EUVL遮罩的邊緣。
    [3] 如請求項1所述之耦接模組，其中至少一個遮罩接觸元件包含一彈簧。
    [4] 如請求項1所述之耦接模組，其中該上部部分與該中間元件的一底部末端之間的一高度差小於該EUVL遮罩的一高度。
    [5] 如請求項1所述之耦接模組，其中該遮罩接觸元件定位成在該圖案轉移區域外部的位置處接觸該EUVL遮罩。
    [6] 如請求項1所述之耦接模組，其中一旦該耦接模組放置於該EUVL遮罩上，那麼該孔隙曝露該圖案轉移區域。
    [7] 如請求項1所述之耦接模組，其中該中間元件經成形以圍繞該EUVL遮罩。
    [8] 如請求項1所述之耦接模組，其中該中間元件經成形以在該耦接模組放置於該EUVL遮罩上時接觸該EUVL遮罩的至少一個側壁。
    [9] 如請求項1所述之耦接模組，其中該耦接模組圍繞該EUVL遮罩的一中心對稱。
    [10] 如請求項1所述之耦接模組，其中該耦接模組由不銹鋼製成。
    [11] 如請求項1所述之耦接模組，其中該至少一個導電路徑由一非導電耦接模組的一導電塗層形成。
    [12] 如請求項1所述之耦接模組，其中該至少一個導電路徑包含多個導電路徑。
    [13] 如請求項1所述之耦接模組，其中至少一個遮罩接觸元件經佈置以在該耦接模組放置於該EUVL遮罩上時鬆散地接觸該夾盤。
    [14] 如請求項1所述之耦接模組，其中該耦接模組包含彼此隔離的多個耦接模組導電部分；其中不同耦接模組導電部分耦接至不同遮罩接觸元件；並且其中每一遮罩接觸元件將一耦接模組導電部分電耦接至該EUVL遮罩。
    [15] 一種用於檢查一極紫外(EUVL)遮罩的方法，該方法包含以下步驟：將一EUVL遮罩和一耦接模組放置於一夾盤上，其中該耦接模組電耦接該EUVL遮罩的一上部部分和該夾盤；及經由一帶電粒子束掃描該EUVL遮罩的一圖案轉移區域的至少一部分，該帶電粒子束通過由該耦接模組的一上部部分界定的一孔隙，同時該夾盤、該耦接模組和該帶電粒子束位於一真空腔室中。
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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